Die FEI Helios G4 Dual Beam ist Teil der vierten Generation der führenden Helios Dual Beam Familie. Es kombiniert die innovative Elstar-Elektronensäule mit der Hochstrom-UC+ Technologie für extrem hochauflösende Bildgebung und den höchsten Materialkontrast mit der überlegenen Tomahawk-Ionensäule für die schnellste, einfachste und präziseste Probenvorbereitung in hoher Qualität. Neben der fortschrittlichsten Elektronen- und Ionenoptik verfügt die Helios G4 UC über eine Reihe modernster Technologien, die eine einfache und konsistente hochauflösende S/TEM- und Atom Probe Tomography (APT)-Probenvorbereitung ermöglichen sowie eine qualitative höchst-hochwertige Charakterisierung unterhalb der Oberfläche und 3D-Charakterisierung, selbst bei den schwierigsten Proben.

TEM-Probenvorbereitung höchster Qualität:

Die neuesten technologischen Innovationen der Helios G4 ermöglichen, in Verbindung mit der einfach zu bedienenden, umfangreichen Software und der FEI-Anwendungsexpertise, die schnelle und einfache Präparation von HR-S/TEM-Proben für eine Vielzahl von Materialien. Um Ergebnisse von höchster Qualität zu erzielen, ist ein abschließendes Polieren mit Niedrigenergie-Ionen erforderlich, um Oberflächenbeschädigungen an der Probe zu minimieren. Die FEI Tomahawk Focused Ion Beam (FIB) -Säule liefert nicht nur hochauflösende Bildgebung und ermöglicht Fräsen bei hohen Spannungen, sondern hat auch eine hervorragende Niederspannungsleistung, welche die Schaffung von hochwertigen TEM-Lamellen ermöglicht.

Hauptmerkmale:

• Schnellste und einfachste TEM-Probenvorbereitung
• Kürzeste Zeit für Nano-Informationen
• Aufzeigen der feinsten Details
• Präzise Probennavigation
• Artefaktfreie Bildgebung
• Schnelles, genaues und präzises Fräsen

Spezifikationen und Detektoren:

• Elstar extrem hochauflösende Feldemissions-SEM-Säule.
• Auflösung: 0,6 nm bei 30 kV STEM, 0,7 nm bei 1 kV, 1,0 nm bei 500 V (ICD).
• Elektronenstrahlstrombereich: 0,8 pA bis 100 nA
• Beschleunigungsspannungsbereich: 200 V bis 30 kV
• Maximale horizontale Feldbreite: 2,3 mm bei 4 mm WD
• Ionenstrahlstrombereich: 0,1 pA bis 65 nA
• Beschleunigter Spannungsbereich: 500 V bis 30 kV
• Elstar In-Objektiv SE / BSE-Detektor
• Elstar In-Säule SE / BSE-Detektor
• Everhart-Thornley SE-Detektor (ETD)
• Einziehbarer STEM3 + Detektor mit BF / DF / HAADF Segmenten
• Gaseinspritzsystem
• Easylift für präzise in situ Probenmanipulation
• AutoTEM-Assistent automatisierte Probenvorbereitung